元器件采购（ZNBX1119）采购公告

招标公告黑龙江省 | 哈尔滨市

发布时间：9小时前

项目编号：ZNBX1119

招标单位：哈尔滨工程大学

预算金额：27万元

项目名称：元器件采购

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元器件采购（ZNBX****）采购公告

发布时间：****-**-** **:**:**阅读量：** 次

项目名称	元器件采购	项目编号	ZNBX****
公告开始日期	**-- ::	公告截止日期	**-- ::
采购单位	哈尔滨工程大学	付款方式
联系人	成交后在我参与的项目中查看	联系电话	成交后在我参与的项目中查看
签约时间要求	成交后**天内	到货时间要求	签约后**天内
预算总价	￥ ****. + NaN + NaN
发票要求	增值税普通发票增值税专用发票
含税要求
送货要求
安装要求
收货地址	哈尔滨工程大学
供应商资质要求	符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
公告说明

采购清单*

采购商品	采购数量	计量单位	所属分类
元器件采购	*	组	无无

品牌品牌*
型号
品牌*
型号
品牌*
型号
品牌*
型号
品牌*
型号
品牌*
型号
预算单价	￥****.
技术参数及配置要求	货物名称技术指标质保数量元器件封装：TSSOP-，级别：工业级，技术指标：封装：TSSOP-，最大输出频率：**MHz，工作电压：.~.V年元器件封装：FCBGA-，级别：工业级，技术指标：封装：FCBGA-*，最大频率：GHz，工作电压：.V年* 元器件封装：TSOP-，级别：工业级，技术指标：封装：TFSOP-，类型：NOR FLASH，工作电压：.~.V年* 元器件封装：**，级别：工业级，技术指标：封装：SMD，精度：±%，额定电流：.A年* 元器件封装：**，级别：工业级，技术指标：封装：，精度：±%，额定电流：**mA年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，精度：±%，功率：W年元器件封装：TSOP-，级别：工业级，技术指标：封装：TSOP-，存储容量：Mbit，时钟频率：*MHz年元器件封装：VQFN-，级别：工业级，技术指标：封装：VQFN-，分辨率：位，采样率：*kHz，通道数：年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，滤波器阶数：，滤波器数：年元器件封装：QFN-，级别：工业级，技术指标：封装：QFN-，分辨率：位，通道数：年元器件封装：LQFP-，级别：工业级，技术指标：封装：LQFP-，串口通道数：，串口最大速率：Mbps年* 元器件封装：BGA*，级别：工业级，技术指标：封装：TFBGA-，接口类型：GMII/TBI，特点：集成serdes年元器件封装：UQFN-，级别：工业级，技术指标：封装：UQFN-*，输出电压：.V，输出电流：mA年** 元器件封装：UMLP-，级别：工业级，技术指标：封装：UFQFN-，通道类型：双向，通道数：年元器件封装：SSOP-，级别：工业级，技术指标：封装：SSOP-，电源电压：~.V，传输速率：Mbps年元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-*，通道数：，最大数据速率：**Mbps年元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT--，输出类型：固定，工作电压：.V，输出电流**mA年元器件封装：SOP-，级别：工业级，技术指标：封装：SOP-，输入电压：/*V，输出电压：V年* 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，正向通道数：，反向通道数：，最大数据速率：**Mbps年元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT--，类型：接收器，驱动器数：，接收器数：年* 元器件封装：SOT*-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT--，输出类型：开漏，工作电压：.~.V年元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，内存大小：Mbit，工作电压：.~.V年元器件封装：BGA-，级别：工业级，技术指标：封装：FBGA，逻辑单元数：**，逻辑阵列块数量：**年元器件封装：DFN-，级别：工业级，技术指标：封装：DFN-，功能类型：降压型，工作电压：~V，输出电流：*mA年元器件封装：TO-PMOD-，级别：工业级，技术指标：封装：TO-PMOD-*，工作电压：~*V，输出电压：.~V，最大输出电流：*A年元器件封装：LQFP-，级别：工业级，技术指标：封装：LQFP-*，通道数：，接口类型：并行，工作电压：.V年* 元器件封装：*******，级别：工业级，技术指标：封装：插件，端口数量：，带LED，有屏蔽年* 元器件封装：*******，级别：工业级，技术指标：封装：插件，安装方式：弯插，带LED年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，电源电压：.~*.V，供电电流：.mA年* 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，放大器数：单路，最大电源宽度：*V年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，开关类型：单刀双掷，通道数：年元器件封装：SSOP-，级别：工业级，技术指标：封装：SSOP-，电路形式：阶滤波器，输入类型：轨到轨年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，放大器数：双路，最大电源宽度：*V年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，正向通道数：，反向通道数：，最大数据速率：Mbps年元器件封装： LQFP-，级别：工业级，技术指标：封装：LQFP-，分辨率：位，采样率：**kHz年元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-*，正向通道数：，反向通道数：，最大数据速率：*Mbps年元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-*，正向通道数：，反向通道数：，最大数据速率：*Mbps年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，正向通道数：，反向通道数：，最大数据速率：**Mbps年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，放大器数：双路，增益带宽积：.MHz年元器件封装：DIP-，级别：工业级，技术指标：封装：DIP-，效率：%，输入电压：V，输出电压：.~.V年元器件封装：DIP-，级别：工业级，技术指标：封装：DIP-，效率：%，输入电压：V，输出电压：.~.V，最大输出电流：A年元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，存储容量：Mbit，最大工作频率：*MHz，工作电压：.V年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，通道数量：，dB带宽：MHz，电源电压：.~V年元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT--，输出电压：.V，输出电流：*mA，输出端数量：年** 元器件封装：WSON-，级别：工业级，技术指标：封装：WSON-，输出电压：.V，输出电流：*mA，静态电流：uA年* 元器件封装：UMAX-，级别：工业级，技术指标：封装：MSOP-，电源电压：.~.V，工作温度：-~℃年元器件封装：***，级别：工业级，技术指标：封装：插件，线圈电压：V，触点形式：组常开，最大切换电流：A年元器件封装：TQFP-，级别：工业级，技术指标：封装：TQFP-，串口通道数：，FIFO容量：Byte年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：.V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：pF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.uF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.uF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：pF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：pF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：pF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.uF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，颜色：蓝色，正向电压：.~.V，功率：mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW，温度系数：±**ppm/℃年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，直流电阻：mΩ，额定电流：.A年元器件封装：SMD*-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：MHz，常温频差：±ppm，输出模式：CMOS年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：Ω，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：.mW，±**ppm/℃年** 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：MΩ，精度：±%，功率：.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*.mW年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：.mW年* 元器件封装：**，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：Ω，精度：±%，功率：*mW年元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT-，整流电流：mA，直流反向耐压：V年* 元器件封装：SMD*-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：MHz，常温频差：±ppm，输出模式：CMOS年* 元器件封装：SMD***-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：MHz，常温频差：±ppm，负载电容：*pF年元器件封装：SMD*-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：.MHz，常温频差：±ppm，输出模式：CMOS年* 元器件封装：SMD***-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：MHz，常温频差：±ppm，输出模式：CMOS年* 元器件封装：SMD***-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD***-P，频率：.MHz，常温频差：±ppm，输出模式：CMOS年* 元器件封装：*****，级别：普军级，技术指标：安装类型：弯插，芯数：年元器件封装：*****，级别：普军级，技术指标：安装类型：弯插，芯数：年元器件封装：*****，级别：普军级，技术指标：芯数：，线长：*cm年* 元器件封装：*****，级别：普军级，技术指标：芯数：，线长：*cm年* 元器件封装：**，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：pF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：pF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.MΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.MΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，阻值：.*MΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：.kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：*V年* 元器件封装：Φ*，级别：工业级，技术指标：安装方式：直插，容值：.nF，精度：±%，额定电压：kV年元器件封装：Φ，级别：工业级，技术指标：安装方式：直插，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：Φ，级别：工业级，技术指标：安装方式：直插，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：kΩ，精度：±%，功率：*mW年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，阻值：Ω，精度：±%，功率：**mW年* 元器件封装：Φ*，级别：工业级，技术指标：安装方式：直插，容值：*uF，精度：±%，额定电压：*V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：PF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，容值：uF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.nF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：nF，精度：±%，额定电压：V年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，容值：.uF，精度：±%，额定电压：V年* 元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：*，颜色：蓝色，正向电压：.~.V，功率：mW年* 元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT-*，正向压降：.V，整流电流：mA年元器件封装：SMB，级别：工业级，技术指标：封装：SMB，钳位电压：V，极性：单向年元器件封装：，级别：工业级，技术指标：封装：，二极管配置：独立式，整流电流：mA年元器件封装：.*，级别：工业级，技术指标：封装：插件，类型：降压型，通道数：，输出功率W，工作电压：~V年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，输入电压偏置：*uV，输入静态电流：nA年* 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，电源电压：.~*V/±.~±V年元器件封装：SOT-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT-，输入电压偏置：*uV，输入静态电流：nA年* 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，输入电压偏置：*uV，输入静态电流：nA年* 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOT-，输出模式：轨到轨，工作温度：-~℃年* 元器件封装：SMD-P，级别：工业级，技术指标：封装：SMD-P，工作温度：~℃年** 元器件封装：SOIC-，级别：工业级，技术指标：封装：SOIC-，类型：收发器，驱动器数：，接收器数：年*
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